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近年來，隨著半導體輸入端子數量的增加，基板向側面端子的多腿化及信號線間距微細化的發展。多腿化的趨勢使QFP(Quad Flat Package)構造盤間的節距狹小化制造的難度增加，特別是面陣列端子(面端子)化的需要，BGA(Ball Grid Array)構造的超小型化封裝的開發。
超小型化封裝端子的表面處理的外部引出線需要增加適合的化學鍍金/化學鍍鎳?；瘜W鍍金或電鍍金的工藝方法比較而言，對于獨立的電路圖形上表面處理是適用的，鍍層的厚度可以根據需要增加，這一點是非常有利的。
通常銅導體圖形是采用以次亞磷酸鹽作還原劑化學鍍鎳，而銅與次亞磷酸氧化反應是沒有催化活化行為的，這就需要采用鈀作為催化劑。該工藝方法就是將基板浸入稀的鈀溶液，當銅導體圖形上浸有催化劑鈀后，化學鍍鎳加工就可以實施化學鍍鎳的工藝程序。但是，對于超 高密度配線的基板該工藝方法是否適用，還要看對鈀催化劑的選擇，因為當基板浸入催化溶液時，導體圖形間的樹脂上也會同時吸附，化學鍍鎳過程中會沉積在圖形間的樹脂上面，這樣一來就會產生質量問題。
這就需要解決選擇性析出的技術問題，銅導體經過催化活化，采用還原劑為DMAB(二甲胺化硼)和稀的化學鍍鎳溶液，確認其選擇性沉積是有效的。
另外，經過化學鍍鎳+金的電鍍處理的基板，與電鍍法鍍出的鍍層相比，其焊接強度就比較低。其主要原因是由鎳粒子粒界被腐蝕變態，鎳層中的富磷層形成以及錫-鎳-磷合金層的形成?，F在的問題是對鎳層中含磷量的含有率控制，使過程中不會產生局部腐蝕，具有適用性的工藝對策是有效的。
研究表明，化學鍍鎳層表面形態即析出形態，是受催化活化處理的影響而變化，因此也就會直接影響焊料的焊接強度。所以，提出使用鈀催化活化而不選擇鎳的析出程序的有效性。
